Справочник MOSFET. APT45M100J

 

APT45M100J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT45M100J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT45M100J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  microsemi
apt45m100j.pdfpdf_icon

APT45M100J

APT45M100J 1000V, 45A, 0.18 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon

 9.1. Size:375K  apt
apt4530an apt5025an apt5030an.pdfpdf_icon

APT45M100J

 9.2. Size:370K  apt
apt4525an.pdfpdf_icon

APT45M100J

 9.3. Size:457K  apt
apt45gp120jdq220.pdfpdf_icon

APT45M100J

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT45GP120JDQ2 1200V APT45GP120JDQ2POWER MOS 7 IGBTThe POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies."UL Recognized"ISOTOP file # E145592

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTD20P06LG | MMBFJ305 | IXTH64N10L2 | STN1304 | FQU5N60C | SSF8822 | STD5NK40ZT4

 

 
Back to Top

 


 
.