APT5015BVFRG - описание и поиск аналогов

 

APT5015BVFRG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT5015BVFRG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT5015BVFRG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5015BVFRG даташит

 ..1. Size:115K  apt
apt5015bvfrg.pdfpdf_icon

APT5015BVFRG

APT5015BVFR APT5015SVFR 500V 32A 0.150 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVFR also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 3.1. Size:375K  inchange semiconductor
apt5015bvfr.pdfpdf_icon

APT5015BVFRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVFR FEATURES Drain Current I =32A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:60K  apt
apt5015bvr.pdfpdf_icon

APT5015BVFRG

APT5015BVR 500V 32A 0.150 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

 5.2. Size:375K  inchange semiconductor
apt5015bvr.pdfpdf_icon

APT5015BVFRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT5015BVR FEATURES Drain Current I =32A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... APT5012JN , APT5014B2VFRG , APT5014B2VRG , APT5014BFLLG , APT5014BLLG , APT5014LVFRG , APT5014SFLLG , APT5014SLLG , IRF520 , 2SK1982-01MR , BUK457-400A , BUK457-400B , 2SK125 , 2SJ410 , 2SK2518-01MR , 2SK4027 , APT5016BFLLG .

History: SVF10N65F | 2SK2551 | XP161A1265PR-G | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.