Справочник MOSFET. APT5030BN

 

APT5030BN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT5030BN
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 522 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT5030BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  apt
apt5030bn.pdfpdf_icon

APT5030BN

DTO-247GAPT5025BN 500V 23.0A 0.25SAPT5030BN 500V 21.0A 0.30POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 5025BN 5030BN UNITVDSS Drain-Source Voltage500 500 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C23 21AmpsIDM Pulsed Drain Current 192 84V

 7.1. Size:375K  apt
apt4530an apt5025an apt5030an.pdfpdf_icon

APT5030BN

 7.2. Size:61K  apt
apt5030avr.pdfpdf_icon

APT5030BN

APT5030AVR500V 14.7A 0.300POWER MOS VTO-3Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

 8.1. Size:61K  apt
apt5032cvr.pdfpdf_icon

APT5030BN

APT5032CVR500V 14A 0.320POWER MOS VTO-254TO-254Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: WMM15N80M3 | RU1HL8L | KRF7703 | IXTH10N60 | UPA1770 | TSM4946DCS | KQB630

 

 
Back to Top

 


 
.