APT50M60JVFR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT50M60JVFR
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
APT50M60JVFR Datasheet (PDF)
apt50m60jvfr.pdf

APT50M60JVFR500V 63A 0.060 POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V"UL Recognized"also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.ISOTOP Popula
apt50m60jvr.pdf

APT50M60JVR500V 63A 0.060 POWER MOS V MOSFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V"UL Recognized"also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.ISOTOP Popular
apt50m60jn.pdf

DGAPT50M60JN 500V 71A 0.06OS"UL Recognized" File No. E145592 (S)ISOTOPPOWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APTSymbol Parameter 50M60JN UNITVDSS Drain-Source Voltage500 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C71AmpsIDM, lLM Pulse
apt50m60l2vrg.pdf

APT50M60L2VR500V 77A 0.060 POWER MOS V MOSFETTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: NCE30H12K | R6535KNZ1 | FTP23N10A | VSE002N03MS-G | BL59N30-W | NTGS3136PT1G | 2SK3430-ZJ
History: NCE30H12K | R6535KNZ1 | FTP23N10A | VSE002N03MS-G | BL59N30-W | NTGS3136PT1G | 2SK3430-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay