APT50M60L2VFRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT50M60L2VFRG
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 560 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-264MAX
Аналог (замена) для APT50M60L2VFRG
APT50M60L2VFRG Datasheet (PDF)
apt50m60l2vfrg.pdf
APT50M60L2VFR500V 77A 0.060 POWER MOS V FREDFETTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D TO-264 MAX Packa
apt50m60l2vfr.pdf
APT50M60L2VFR500V 77A 0.060WPOWER MOS V FREDFETTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package Faster Switching D
apt50m60l2vrg.pdf
APT50M60L2VR500V 77A 0.060 POWER MOS V MOSFETTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package
apt50m60l2vr.pdf
APT50M60L2VR500V 77A 0.060WPOWER MOS VTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche TestedD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918