APT50M85B2VFRG - описание и поиск аналогов

 

APT50M85B2VFRG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT50M85B2VFRG

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для APT50M85B2VFRG

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT50M85B2VFRG даташит

 ..1. Size:137K  apt
apt50m85b2vfrg apt50m85lvfrg.pdfpdf_icon

APT50M85B2VFRG

APT50M85B2VFR APT50M85LVFR 500V 56A 0.085 B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout

 1.1. Size:39K  apt
apt50m85b2vfr.pdfpdf_icon

APT50M85B2VFRG

APT50M85B2VFR APT50M85LVFR 500V 56A 0.085W B2VFR POWER MOS V FREDFET T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVFR Identical

 3.1. Size:36K  apt
apt50m85b2vr.pdfpdf_icon

APT50M85B2VFRG

APT50M85B2VR APT50M85LVR 500V 56A 0.085W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specificatio

 6.1. Size:74K  apt
apt50m85jvr.pdfpdf_icon

APT50M85B2VFRG

APT50M85JVR 500V 50A 0.085 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

Другие MOSFET... APT50M75B2FLLG , APT50M75B2LLG , APT50M75LFLLG , APT50M75LLLG , APT50M80B2VFRG , APT50M80B2VRG , APT50M80LVFRG , APT50M80LVRG , IRF640N , APT50M85LVFRG , APT50M85LVR , APT50N60JCCU2 , APT51F50J , APT51M50J , APT53F80J , APT53N60BC6 , APT53N60SC6 .

History: HUF76132SK8

 

 

 


 
↑ Back to Top
.