APT51M50J - описание и поиск аналогов

 

APT51M50J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT51M50J

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APT51M50J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT51M50J даташит

 ..1. Size:214K  microsemi
 apt51m50j.pdf pdf_icon

APT51M50J

APT51M50J 500V, 51A, 0.075 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon g

 9.1. Size:214K  microsemi
 apt51f50j.pdf pdf_icon

APT51M50J

APT51F50J 500V, 51A, 0.075 Max, trr 310ns N-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hig

Другие MOSFET... APT50M80B2VRG , APT50M80LVFRG , APT50M80LVRG , APT50M85B2VFRG , APT50M85LVFRG , APT50M85LVR , APT50N60JCCU2 , APT51F50J , 10N60 , APT53F80J , APT53N60BC6 , APT53N60SC6 , APT5570AN , APT56F50B2 , APT56F50L , APT56F60B2 , APT56F60L .

History: MDF4N65BTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.