Справочник MOSFET. APT51M50J

 

APT51M50J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT51M50J
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 290 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APT51M50J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT51M50J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  microsemi
 apt51m50j.pdf pdf_icon

APT51M50J

APT51M50J 500V, 51A, 0.075 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon g

 9.1. Size:214K  microsemi
 apt51f50j.pdf pdf_icon

APT51M50J

APT51F50J 500V, 51A, 0.075 Max, trr 310nsN-Channel FREDFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, hig

Другие MOSFET... APT50M80B2VRG , APT50M80LVFRG , APT50M80LVRG , APT50M85B2VFRG , APT50M85LVFRG , APT50M85LVR , APT50N60JCCU2 , APT51F50J , IRFB4227 , APT53F80J , APT53N60BC6 , APT53N60SC6 , APT5570AN , APT56F50B2 , APT56F50L , APT56F60B2 , APT56F60L .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.