Справочник MOSFET. APT58M80J

 

APT58M80J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT58M80J
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 570 nC
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1745 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227

 Аналог (замена) для APT58M80J

 

 

APT58M80J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  microsemi
 apt58m80j.pdf

APT58M80J APT58M80J

APT58M80J 800V, 60A, 0.10 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

 8.1. Size:119K  microsemi
 apt58m50j.pdf

APT58M80J APT58M80J

APT58M50J 500V, 58A, 0.065 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon g

 8.2. Size:108K  microsemi
 apt58m50jcu3.pdf

APT58M80J APT58M80J

APT58M50JCU3VDSS = 500V ISOTOP Buck chopper RDSon = 65m Max @ Tj = 25C MOSFET + SiC chopper diode ID = 58A @ Tc = 25C Power module Application D AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Features Power MOS 8 MOSFET G- Low RDSon S- Low input and Miller capacitance - Low gate charge - Avalanche energy rated SiC Schottky D

 8.3. Size:108K  microsemi
 apt58m50jcu2.pdf

APT58M80J APT58M80J

APT58M50JCU2VDSS = 500V ISOTOP Boost chopper RDSon = 65m Max @ Tj = 25C MOSFET + SiC chopper diode ID = 58A @ Tc = 25C Power module Application K AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction D Brake switch Features Power MOS 8 MOSFET G - Low RDSon - Low input and Miller capacitance - Low gate ch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top