Справочник MOSFET. APT6025SFLLG

 

APT6025SFLLG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT6025SFLLG
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 325 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK

 Аналог (замена) для APT6025SFLLG

 

 

APT6025SFLLG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  apt
 apt6025bfllg apt6025sfllg.pdf

APT6025SFLLG APT6025SFLLG

APT6025BFLLAPT6025SFLL600V 24A 0.250BFLLR POWER MOS 7 FREDFETD3PAKPower MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelTO-247enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switchinglosses are addressed with Power MOS 7 by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7 combines lower conduction and switching lossesSFLL

 6.1. Size:116K  apt
 apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf

APT6025SFLLG APT6025SFLLG

APT6025BVFRAPT6025SVFR600V 25A 0.250POWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re

 6.2. Size:113K  apt
 apt6025svfr.pdf

APT6025SFLLG APT6025SFLLG

APT6025BVFRAPT6025SVFR600V 25A 0.250POWER MOS V FREDFETD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re

 6.3. Size:59K  apt
 apt6025svr.pdf

APT6025SFLLG APT6025SFLLG

APT6025SVR600V 25A 0.250WPOWER MOS VD3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower Le

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top