APT6025SFLLG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: APT6025SFLLG 📄📄
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 325 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APT6025SFLLG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT6025SFLLG даташит
apt6025bfllg apt6025sfllg.pdf
APT6025BFLL APT6025SFLL 600V 24A 0.250 BFLL R POWER MOS 7 FREDFET D3PAK Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel TO-247 enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7 by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7 combines lower conduction and switching losses SFLL
apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf
APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re
apt6025svfr.pdf
APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re
apt6025svr.pdf
APT6025SVR 600V 25A 0.250W POWER MOS V D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower Le
Другие IGBT... APT6018JN, APT6021BFLLG, APT6021BLLG, APT6021SFLLG, APT6025BFLLG, APT6025BLLG, APT6025BVFRG, APT6025BVRG, IRF2807, APT6025SVFRG, APT6029BFLLG, APT6029SFLLG, APT6029SLL, APT6029SLLG, APT6033BN, APT6035BVFRG, APT6035SVFRG
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM206A | IXFH74N20P | SSU65R420S2 | SST65R1K2S2E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a




