Справочник MOSFET. APT6M100K

 

APT6M100K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT6M100K
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6M100K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt6m100k.pdf pdf_icon

APT6M100K

APT6M100K 1000V, 6A, 2.50 MAXN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

Другие MOSFET... APT60M80L2VFRG , APT60M80L2VRG , APT60N60BCSG , APT60N90JC3 , APT66F60B2 , APT66F60L , APT66M60B2 , APT66M60L , HY1906P , APT7575AN , APT7575BN , APT7590AN , APT7590BN , APT75F50B2 , APT75F50L , APT75M50B2 , APT75M50L .

 

 
Back to Top

 


 
.