APT6M100K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT6M100K
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APT6M100K
APT6M100K Datasheet (PDF)
apt6m100k.pdf

APT6M100K 1000V, 6A, 2.50 MAXN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga
Другие MOSFET... APT60M80L2VFRG , APT60M80L2VRG , APT60N60BCSG , APT60N90JC3 , APT66F60B2 , APT66F60L , APT66M60B2 , APT66M60L , HY1906P , APT7575AN , APT7575BN , APT7590AN , APT7590BN , APT75F50B2 , APT75F50L , APT75M50B2 , APT75M50L .
History: DMN6040SSDQ | APM4317K | TSF18N50MR | STQ3NK50ZR-AP | 2SK3812 | 2SJ492 | 2SK818A
History: DMN6040SSDQ | APM4317K | TSF18N50MR | STQ3NK50ZR-AP | 2SK3812 | 2SJ492 | 2SK818A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327