APT6M100K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT6M100K  📄📄 

Тип транзистора: MOFETS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT6M100K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6M100K даташит

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt6m100k.pdf pdf_icon

APT6M100K

APT6M100K 1000V, 6A, 2.50 MAX N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

Другие IGBT... APT60M80L2VFRG, APT60M80L2VRG, APT60N60BCSG, APT60N90JC3, APT66F60B2, APT66F60L, APT66M60B2, APT66M60L, 75N75, APT7575AN, APT7575BN, APT7590AN, APT7590BN, APT75F50B2, APT75F50L, APT75M50B2, APT75M50L