Справочник MOSFET. APT7M120S

 

APT7M120S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT7M120S
   Тип транзистора: MOFETS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT7M120S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  microsemi
 apt7m120b apt7m120s.pdf pdf_icon

APT7M120S

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RQJ0302NGDQA | FL6L5201 | IXFA12N65X2 | BUK9M120-100E | CHM4955JGP | JCS3N80B | IRLU3105

 

 
Back to Top

 


 
.