APT7M120S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT7M120S
Тип транзистора: MOFETS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
Аналог (замена) для APT7M120S
APT7M120S Datasheet (PDF)
apt7m120b apt7m120s.pdf

APT7M120B APT7M120S 1200V, 8A, 2.1 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of t
Другие MOSFET... APT77N60BC6 , APT77N60SC6 , APT7F100B , APT7F100S , APT7F120B , APT7F120S , APT7F80K , APT7M120B , IRF1404 , APT8014L2FLLG , APT8018L2VFRG , APT8020B2FLLG , APT8020B2LLG , APT8020LFLLG , APT8020LLLG , APT8024B2FLLG , APT8024B2LLG .
History: JCS4N80FH | 2SK3325-ZJ | STW24NM65N | IXTT16N20D2 | IXTH50N25T | BUK9535-55A | IXTA32P05T
History: JCS4N80FH | 2SK3325-ZJ | STW24NM65N | IXTT16N20D2 | IXTH50N25T | BUK9535-55A | IXTA32P05T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet