Справочник MOSFET. APT8075BVFRG

 

APT8075BVFRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT8075BVFRG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APT8075BVFRG

 

 

APT8075BVFRG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  apt
 apt8075bvfrg.pdf

APT8075BVFRG APT8075BVFRG

APT8075BVFR800V 12A 0.750POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 3.1. Size:72K  apt
 apt8075bvfr.pdf

APT8075BVFRG APT8075BVFRG

APT8075BVFR800V 12A 0.750POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 5.1. Size:62K  apt
 apt8075bvr.pdf

APT8075BVFRG APT8075BVFRG

APT8075BVR800V 12A 0.750POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt8075bvr.pdf

APT8075BVFRG APT8075BVFRG

isc N-Channel MOSFET Transistor APT8075BVRFEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.75(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top