APT84F50B2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: APT84F50B2 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1455 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO-247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APT84F50B2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT84F50B2 даташит
apt84f50b2 apt84f50l.pdf
APT84F50B2 APT84F50L 500V, 84A, 0.065 Max, trr 320ns N-Channel FREDFET T-Ma xTM TO-264 Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate res
apt84f50b2.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT84F50B2 FEATURES Drain Current I = 84A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.065 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
apt84f50l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT84F50L FEATURES Drain Current I = 84A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.065 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
apt84m50b2 apt84m50l.pdf
APT84M50B2 APT84M50L 500V, 84A, 0.065 Max N-Channel MOSFET T-Ma xTM TO-264 Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and ca
Другие IGBT... APT8052BLLG, APT8052SFLLG, APT8075AN, APT8075BVFRG, APT8090AN, APT8090BN, APT80F60J, APT80M60J, 2SK3568, APT84F50L, APT84M50B2, APT84M50L, APT8M100B, APT8M100S, APT8M80K, APT901R1AN, APT901R1BN
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM304A | AO4832 | AGM150P10S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent


