APT8M100S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT8M100S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: D3PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT8M100S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8M100S даташит

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt8m100b apt8m100s.pdf pdf_icon

APT8M100S

APT8M100B APT8M100S 1000V, 8A, 1.80 Max N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAK A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

 9.1. Size:117K  microsemi
 apt8m80k.pdf pdf_icon

APT8M100S

APT8M80K 800V, 8A, 1.35 MAX, N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci- tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

Другие IGBT... APT8090BN, APT80F60J, APT80M60J, APT84F50B2, APT84F50L, APT84M50B2, APT84M50L, APT8M100B, P55NF06, APT8M80K, APT901R1AN, APT901R1BN, APT901R1HN, APT901R3AN, APT901R3BN, APT901R3HN, APT901RBN