Справочник MOSFET. APT8M100S

 

APT8M100S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT8M100S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: D3PAK
 

 Аналог (замена) для APT8M100S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8M100S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  microsemi
 apt8m100b apt8m100s.pdf pdf_icon

APT8M100S

APT8M100B APT8M100S 1000V, 8A, 1.80 MaxN-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. D3PAKA proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of

 9.1. Size:117K  microsemi
 apt8m80k.pdf pdf_icon

APT8M100S

APT8M80K 800V, 8A, 1.35 MAX, N-Channel MOSFET Power MOS 8 is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low Crss "Miller" capaci-tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon ga

Другие MOSFET... APT8090BN , APT80F60J , APT80M60J , APT84F50B2 , APT84F50L , APT84M50B2 , APT84M50L , APT8M100B , IRFB3607 , APT8M80K , APT901R1AN , APT901R1BN , APT901R1HN , APT901R3AN , APT901R3BN , APT901R3HN , APT901RBN .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | AS2305 | TSM40N03PQ56

 

 
Back to Top

 


 
.