APT901R3HN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT901R3HN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-258

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT901R3HN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT901R3HN даташит

 ..1. Size:346K  apt
 apt901r1hn apt901r3hn.pdf pdf_icon

APT901R3HN

APT1001R1HN PCB 24

 6.1. Size:333K  apt
 apt901r1an apt901r3an.pdf pdf_icon

APT901R3HN

APT1001R1AN PCB 24

 6.2. Size:166K  apt
 apt901r1bn apt901r3bn.pdf pdf_icon

APT901R3HN

 7.1. Size:154K  apt
 apt901rbn.pdf pdf_icon

APT901R3HN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8M100B, APT8M100S, APT8M80K, APT901R1AN, APT901R1BN, APT901R1HN, APT901R3AN, APT901R3BN, RFP50N06, APT901RBN, APT902R4BN, APT902RBN, APT904R2AN, APT904R2BN, APT904RAN, APT904RBN, APT94N60L2C3G