APTC60AM18SCG datasheet, аналоги, параметры транзистора

APTC60AM18SCG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APTC60AM18SCG 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 143 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: MODULE

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для APTC60AM18SCG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

APTC60AM18SCG даташит

..1. Size:300K microsemi
aptc60am18scg.pdf pdf_icon

APTC60AM18SCG Phase leg VDSS = 600V Series & SiC parallel diodes RDSon = 18m max @ Tj = 25 C Super Junction ID = 143A @ Tc = 25 C MOSFET Power Module Application VBUS Motor control Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Q1 Features G1 OUT S1 - Ultra low RDSon - Low Miller capacitance - Ultra low gate charge Q2 -

6.1. Size:232K microsemi
aptc60am24sctg.pdf pdf_icon

APTC60AM24SCTG VDSS = 600V Phase leg RDSon = 24m max @ Tj = 25 C Series & SiC parallel diodes ID = 95A @ Tc = 25 C Super Junction MOSFET Power Module Application Motor control Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies NTC2 VBUS Features Q1 - Ultra low RDSon - Low Miller capacitance G1 - Ultra low gate charge OUT - Aval

6.2. Size:313K microsemi
aptc60am35sctg.pdf pdf_icon

APTC60AM35SCTG VDSS = 600V Phase leg Series & SiC parallel diodes RDSon = 35m max @ Tj = 25 C Super Junction ID = 72A @ Tc = 25 C MOSFET Power Module Application Motor control Switched Mode Power Supplies NT C2 Uninterruptible Power Supplies VBUS Q1 Features G1 - Ultra low RDSon OUT - Low Miller capacitance S1 - Ultra low gate charge Q2 -

8.1. Size:249K microsemi
aptc60skm24ct1g.pdf pdf_icon