Справочник MOSFET. APTM100UM65SCAVG

 

APTM100UM65SCAVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APTM100UM65SCAVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1068 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5080 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для APTM100UM65SCAVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APTM100UM65SCAVG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:264K  microsemi
 aptm100um65scavg.pdf pdf_icon

APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVGVDSS = 1000V Single switch RDSon = 65m typ @ Tj = 25C Series & SiC parallel diodes ID = 145A @ Tc = 25C MOSFET Power ModuleD Application Welding converters Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Motor control DKFeatures Power MOS 7 MOSFETs - Low RDSon G - Low input and Miller capacitance - Low g

 7.1. Size:197K  microsemi
 aptm100da18ct1g.pdf pdf_icon

APTM100UM65SCAVG

APTM100DA18CT1GVDSS = 1000V Boost chopper RDSon = 180m typ @ Tj = 25C MOSFET + SiC chopper diode ID = 40A @ Tc = 25C Power Module Application 5 6 11 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction CR1 Features Power MOS 8 MOSFETs 3NTC- Low RDSon 4Q2- Low input and Miller capacitance - Low gate charge

 7.2. Size:293K  microsemi
 aptm100a23sctg.pdf pdf_icon

APTM100UM65SCAVG

APTM100A23SCTG VDSS = 1000V Phase leg RDSon = 230m typ @ Tj = 25C Series & SiC parallel diodes ID = 36A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control Switched Mode Power Supplies NTC2 Uninterruptible Power Supplies VBUSFeatures Q1 Power MOS 7 MOSFETs - Low RDSon - Low input and Miller capacitance G1OUT - Low gate charge -

 7.3. Size:298K  microsemi
 aptm100h45sctg.pdf pdf_icon

APTM100UM65SCAVG

APTM100H45SCTG Full bridge VDSS = 1000V RDSon = 450m typ @ Tj = 25C Series & SiC parallel diodes ID = 18A @ Tc = 25C MOSFET Power Module Application Motor control VBUS Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies CR1A CR3AFeatures CR1B CR3B Power MOS 7 MOSFETs Q1 Q3- Low RDSon G1 G3- Low input and Miller capacitance OUT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APTC90DAM60CT1G , APTC90DDA12CT1G , APTC90H12SCTG , APTC90SKM60CT1G , APTM100A13SCG , APTM100A23SCTG , APTM100DA18CT1G , APTM100H45SCTG , IRF9640 , APTM120DA30CT1G , APTM120U10SCAVG , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , ATP304 , ATP401 .

History: TPC8031-H | IRLR2905TR | SSM6K781G | TK6A50D

 

 
Back to Top

 


 
.