Справочник MOSFET. APTM120U10SCAVG

 

APTM120U10SCAVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APTM120U10SCAVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1100 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для APTM120U10SCAVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APTM120U10SCAVG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:230K  microsemi
 aptm120u10scavg.pdf pdf_icon

APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG VDSS = 1200V Single switch RDSon = 100m typ @ Tj = 25C Series & SiC parallel diodes ID = 116A @ Tc = 25C MOSFET Power Module D Application Welding converters Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Motor control DKFeatures Power MOS 7 MOSFETs - Low RDSon G - Low input and Miller capacitance - Low

 7.1. Size:191K  microsemi
 aptm120da30ct1g.pdf pdf_icon

APTM120U10SCAVG

APTM120DA30CT1G VDSS = 1200V Boost chopper RDSon = 300m typ @ Tj = 25C MOSFET + SiC chopper diode ID = 31A @ Tc = 25C Power Module Application 5 6 11 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction CR1Features 3NTC Power MOS 8 MOSFET 4- Low RDSon Q2- Low input and Miller capacitance - Low gate charge

 9.1. Size:264K  microsemi
 aptm100um65scavg.pdf pdf_icon

APTM120U10SCAVG

APTM100UM65SCAVGVDSS = 1000V Single switch RDSon = 65m typ @ Tj = 25C Series & SiC parallel diodes ID = 145A @ Tc = 25C MOSFET Power ModuleD Application Welding converters Switched Mode Power Supplies Uninterruptible Power Supplies Motor control DKFeatures Power MOS 7 MOSFETs - Low RDSon G - Low input and Miller capacitance - Low g

 9.2. Size:197K  microsemi
 aptm100da18ct1g.pdf pdf_icon

APTM120U10SCAVG

APTM100DA18CT1GVDSS = 1000V Boost chopper RDSon = 180m typ @ Tj = 25C MOSFET + SiC chopper diode ID = 40A @ Tc = 25C Power Module Application 5 6 11 AC and DC motor control Switched Mode Power Supplies Power Factor Correction CR1 Features Power MOS 8 MOSFETs 3NTC- Low RDSon 4Q2- Low input and Miller capacitance - Low gate charge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APTC90H12SCTG , APTC90SKM60CT1G , APTM100A13SCG , APTM100A23SCTG , APTM100DA18CT1G , APTM100H45SCTG , APTM100UM65SCAVG , APTM120DA30CT1G , MMD60R360PRH , APTM50AM24SCG , APTM50AM38SCTG , APTM50DAM38CTG , APTM50HM75SCTG , ATP304 , ATP401 , 2N5670 , 2SK2255-01MR .

History: HM4441 | 2SK1700 | P1086 | 2SK2375 | SI2323CDS-T1-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.