EMB20P03V - описание и поиск аналогов

 

EMB20P03V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB20P03V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: EDFN3X3

Аналог (замена) для EMB20P03V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB20P03V даташит

 ..1. Size:191K  china
 emb20p03v.pdf pdf_icon

EMB20P03V

EMB20P03V P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 18A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

 ..2. Size:191K  emc
 emb20p03v.pdf pdf_icon

EMB20P03V

EMB20P03V P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 18A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

 6.1. Size:181K  emc
 emb20p03g.pdf pdf_icon

EMB20P03V

EMB20P03G P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 10A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS

 9.1. Size:204K  1
 emb20n03v.pdf pdf_icon

EMB20P03V

EMB20N03V N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 20m ID 12A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK2255-01MR , 7N10L-AA3 , 7N10G-AA3 , 7N10L-TN3 , 7N10G-TN3 , AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , IRFP460 , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN .

History: APTM100A23SCTG | STD12NF06T4 | IRF3000PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.