JCS18N50WH - описание и поиск аналогов

 

JCS18N50WH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS18N50WH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 169 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для JCS18N50WH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS18N50WH даташит

 ..1. Size:948K  jilin sino
 jcs18n50wh.pdf pdf_icon

JCS18N50WH

 5.1. Size:1269K  jilin sino
 jcs18n50we jcs18n50abe.pdf pdf_icon

JCS18N50WH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1873K  jilin sino
 jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf pdf_icon

JCS18N50WH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss @Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 8.1. Size:721K  jilin sino
 jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf pdf_icon

JCS18N50WH

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO4466L , AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , IRFB4110 , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.