ME04N25 - описание и поиск аналогов

 

ME04N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME04N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME04N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME04N25 даташит

 ..1. Size:480K  matsuki electric
me04n25.pdfpdf_icon

ME04N25

 ..2. Size:574K  matsuki electric
me04n25 me04n25-g.pdfpdf_icon

ME04N25

Другие MOSFET... AOD4144 , CS60N06C4 , EMB20P03V , FTW20N50A , HY1506P , HY1506I , HY1506B , JCS18N50WH , IRF640N , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , RCD080N25TL , RCD100N19 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.