Справочник MOSFET. RCD075N19

 

RCD075N19 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD075N19
   Маркировка: C07N19
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.336 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RCD075N19

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD075N19 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  rohm
 rcd075n19.pdf pdf_icon

RCD075N19

RCD075N19 Nch 190V 7.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS190V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)336mW(3) ID7.5A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive (4V drive).(1) Gate 2) Low on-resistance.(2) Drain (3) Source 3) Fast switching speed.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead p

 7.1. Size:1151K  rohm
 rcd075n20.pdf pdf_icon

RCD075N19

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD075N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Другие MOSFET... HY1506B , JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , IRFB4110 , RCD080N25TL , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 .

History: SWD10N65K2 | WMT04P06TS | WSD2054DN22 | HSL0004 | CRTS030N04L | MTB30P06VT4

 

 
Back to Top

 


 
.