Справочник MOSFET. RCD080N25TL

 

RCD080N25TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD080N25TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RCD080N25TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD080N25TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  rohm
 rcd080n25tl.pdf pdf_icon

RCD080N25TL

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD080N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

 5.1. Size:1152K  rohm
 rcd080n25.pdf pdf_icon

RCD080N25TL

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD080N25 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

Другие MOSFET... JCS18N50WH , ME04N25 , ME04N25G , SiS412DN , RCD040N25TL , RCD041N25 , RCD051N20 , RCD075N19 , IRFP250N , RCD100N19 , RCJ050N25 , RCJ080N25 , RCJ081N20 , RCJ100N25 , RCJ120N20 , RCJ120N25 , RCJ160N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.