Справочник MOSFET. RDD023N50

 

RDD023N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDD023N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDD023N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  rohm
rdd023n50.pdfpdf_icon

RDD023N50

RDD023N50 Nch 500V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)5.4W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.

 9.1. Size:604K  rohm
rdd022n50.pdfpdf_icon

RDD023N50

RDD022N50 Nch 500V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)5.4W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.

 9.2. Size:534K  rohm
rdd020n60.pdfpdf_icon

RDD023N50

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RDD020N60 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.65(1) Gate0.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. (2) Drain 2.3 0.51.0(3) Source5) Parallel use is easy. Applicati

 9.3. Size:754K  rohm
rdd022n60.pdfpdf_icon

RDD023N50

RDD022N60 Nch 600V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)6.7W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.