RDD023N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RDD023N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm
Тип корпуса: SC-63
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RDD023N50 Datasheet (PDF)
rdd023n50.pdf

RDD023N50 Nch 500V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)5.4W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.
rdd022n50.pdf

RDD022N50 Nch 500V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)5.4W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.
rdd020n60.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RDD020N60 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.65(1) Gate0.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. (2) Drain 2.3 0.51.0(3) Source5) Parallel use is easy. Applicati
rdd022n60.pdf

RDD022N60 Nch 600V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)6.7W(SOT-428)ID2A(1) (2) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent