Справочник MOSFET. RDR005N25

 

RDR005N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDR005N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-96
 

 Аналог (замена) для RDR005N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDR005N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  rohm
 rdr005n25.pdf pdf_icon

RDR005N25

RDR005N25 Nch 250V 0.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V(3) TSMT3(SC-96)RDS(on) (Max.)8.8W(1) ID0.5APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Source 3) Drive circuits can be simple.(3) Drain 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие MOSFET... RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , IRFP250 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 .

History: PDC3960X | 2N7002TC | WMO10N65C4 | HSBB8008 | AP9487GM | RFD8P05 | GM8205A

 

 
Back to Top

 


 
.