Справочник MOSFET. RDR005N25

 

RDR005N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RDR005N25
   Маркировка: EE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-96

 Аналог (замена) для RDR005N25

 

 

RDR005N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  rohm
 rdr005n25.pdf

RDR005N25 RDR005N25

RDR005N25 Nch 250V 0.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V(3) TSMT3(SC-96)RDS(on) (Max.)8.8W(1) ID0.5APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Source 3) Drive circuits can be simple.(3) Drain 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top