RDR005N25 - описание и поиск аналогов

 

RDR005N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDR005N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm

Тип корпуса: SC-96

Аналог (замена) для RDR005N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDR005N25 даташит

 ..1. Size:399K  rohm
 rdr005n25.pdf pdf_icon

RDR005N25

RDR005N25 Nch 250V 0.5A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V (3) TSMT3 (SC-96) RDS(on) (Max.) 8.8W (1) ID 0.5A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Source 3) Drive circuits can be simple. (3) Drain 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие MOSFET... RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , AON7506 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 .

History: WSP08N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.