Справочник MOSFET. RDR005N25

 

RDR005N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDR005N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-96
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDR005N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  rohm
 rdr005n25.pdf pdf_icon

RDR005N25

RDR005N25 Nch 250V 0.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V(3) TSMT3(SC-96)RDS(on) (Max.)8.8W(1) ID0.5APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Source 3) Drive circuits can be simple.(3) Drain 4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compl

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FC6B22220L | 12N65KL-TF1-T | PK664BA | CJU10N10 | BRCS070N03DSC | RHK005N03 | DMP2100UCB9

 

 
Back to Top

 


 
.