Справочник MOSFET. R5011FNJ

 

R5011FNJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5011FNJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R5011FNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3269K  rohm
r5011fnj.pdfpdf_icon

R5011FNJ

R5011FNJDatasheetNch 500V 11A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.52 ID 11A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

 7.1. Size:283K  rohm
r5011fnx.pdfpdf_icon

R5011FNJ

10V Drive Nch MOSFET R5011FNX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 2) Low on-resistance. 1.21.33) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.85) Drive circuits can be simple. (1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain (1) (2) (3)6) Parallel u

 9.1. Size:263K  rohm
r5011anj.pdfpdf_icon

R5011FNJ

10V Drive Nch MOSFET R5011ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.782.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5.08(1) Gate (1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. (2) Drain(3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use is

 9.2. Size:232K  rohm
r5011anx.pdfpdf_icon

R5011FNJ

R5011ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5011ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use i

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFPS3815PBF | APT5017BLC | SQJA04EP | SRC60R045FB | IRFH5004PBF | LSD60R1K4HT | SL3401S

 

 
Back to Top

 


 
.