R5011FNJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: R5011FNJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: LPTS
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
R5011FNJ Datasheet (PDF)
r5011fnj.pdf

R5011FNJDatasheetNch 500V 11A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.52 ID 11A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
r5011fnx.pdf

10V Drive Nch MOSFET R5011FNX Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 2) Low on-resistance. 1.21.33) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.85) Drive circuits can be simple. (1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain (1) (2) (3)6) Parallel u
r5011anj.pdf

10V Drive Nch MOSFET R5011ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.14.51.3 Features 1.241) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 2.54 0.40.782.73) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5.08(1) Gate (1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. (2) Drain(3) SourceEach lead has same dimensions5) Parallel use is
r5011anx.pdf

R5011ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5011ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use i
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRFPS3815PBF | APT5017BLC | SQJA04EP | SRC60R045FB | IRFH5004PBF | LSD60R1K4HT | SL3401S
History: IRFPS3815PBF | APT5017BLC | SQJA04EP | SRC60R045FB | IRFH5004PBF | LSD60R1K4HT | SL3401S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent