Справочник MOSFET. RFD3055LESM

 

RFD3055LESM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFD3055LESM
   Маркировка: F3055L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.107 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA

 Аналог (замена) для RFD3055LESM

 

 

RFD3055LESM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  fairchild semi
 rfd3055le rfd3055lesm rfp3055le.pdf

RFD3055LESM RFD3055LESM

RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LEData Sheet January 200211A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 11A, 60VThese N-Channel enhancement-mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.107manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI

 ..2. Size:1299K  onsemi
 rfd3055le rfd3055lesm.pdf

RFD3055LESM RFD3055LESM

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:114K  harris semi
 rfd3055-sm rfp3055.pdf

RFD3055LESM RFD3055LESM

RFD3055, RFD3055SMS E M I C O N D U C T O RRFP305512A, 60V, Avalanche Rated, N-ChannelEnhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)February 1994Features PackagingJEDEC TO-220AB 12A, 60VTOP VIEW rDS(ON) = 0.150SOURCE Temperature Compensating PSPICE ModelDRAIN Peak Current vs Pulse Width Curve GATE UIS Rating Curve +175oC Operating TemperatureJED

Другие MOSFET... RFD16N05 , RFD16N05L , RFD16N05LSM , RFD16N05SM , RFD16N06LE , RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , IRF1404 , RFD3055SM , RFD3N08L , RFD3N08LSM , RFD4N06L , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 .

 

 
Back to Top