Справочник MOSFET. R6015ENZ

 

R6015ENZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6015ENZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для R6015ENZ

 

 

R6015ENZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:871K  rohm
 r6015enz.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

R6015ENZ Nch 600V 15A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-3PFRDS(on) (Max.)0.290WID15A(1) (2) PD120W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 r6015enz.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6015ENZFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 290m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.1. Size:797K  rohm
 r6015enx.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

R6015ENX Nch 600V 15A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-220FMRDS(on) (Max.)0.290WID15A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 7.2. Size:769K  rohm
 r6015enj.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

R6015ENJ Nch 600V 15A Power MOSFET Data SheetlOutline(2) VDSS600VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)0.290WID15A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-

 7.3. Size:252K  inchange semiconductor
 r6015enx.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6015ENXFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 290m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 7.4. Size:255K  inchange semiconductor
 r6015enj.pdf

R6015ENZ R6015ENZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6015ENJFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 290m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top