Справочник MOSFET. R6047ENZ1

 

R6047ENZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6047ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для R6047ENZ1

 

 

R6047ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  rohm
r6047enz1.pdf

R6047ENZ1
R6047ENZ1

R6047ENZ1 Nch 600V 47A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.072WID47A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
r6047enz1.pdf

R6047ENZ1
R6047ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6047ENZ1FEATURESDrain Current I = 47A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 72m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2283K  rohm
r6047mnz1.pdf

R6047ENZ1
R6047ENZ1

R6047MNZ1DatasheetNch 600V 47A Power MOSFETlOutlinelVDSS600VRDS(on)(Max.) 0.081 TO-247ID 47APD440W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 30V.5) Drive circuits can be simple.6) Pb-free p

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
r6047mnz1.pdf

R6047ENZ1
R6047ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6047MNZ1FEATURESDrain Current I = 47A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 81m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top