IPU09N03LA - описание и поиск аналогов

 

IPU09N03LA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU09N03LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU09N03LA

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU09N03LA даташит

 ..1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPU09N03LA

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

 9.1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPU09N03LA

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

Другие MOSFET... R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA , IRFP460 , NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 .

History: IXTY64N055T | MKE11R600DCGFC

 

 

 


 
↑ Back to Top
.