Справочник MOSFET. SI2300A

 

SI2300A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI2300A

Маркировка: C009T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 7.7 nC

Время нарастания (tr): 128 ns

Выходная емкость (Cd): 70 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SI2300A

 

 

SI2300A Datasheet (PDF)

1.1. si2300a.pdf Size:2058K _update-mosfet

SI2300A
SI2300A

R UMW UMW SI2300A N-Channel 20-V(D-S) MOSFET UMW SI2300A ID SOT-23 V(BR)DSS RDS(on)MAX 25mΩ@4.5V 20V 6 A 1. GATE 34.5mΩ@2.5V 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEA TURE Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converter MARKING Equivalent Circuit C009T Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Value Parameter Unit Dr

4.1. si2300ds.pdf Size:119K _vishay

SI2300A
SI2300A

New Product Si2300DS Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.068 at VGS = 4.5 V • TrenchFET® Power MOSFET 3.6a 30 3 nC • 100 % Rg Tested 0.085 at VGS = 2.5 V 3.4 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter for

4.2. si2300.pdf Size:3364K _htsemi

SI2300A
SI2300A

SI2300 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.0A 70m ? RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A 80m ? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions D G S SOT-23(PACKAGE) Millimeter Millimeter RE

 4.3. si2300.pdf Size:603K _kexin

SI2300A
SI2300A

SMD Type IC SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SI2300 (KI2300) SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0A VDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0A VDS=20V,,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 1. Gate 2.Emitter 2. Source 3. Drain 3.collector A

4.4. si2300-3.pdf Size:725K _kexin

SI2300A
SI2300A

SMD Type IC SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2300 (KI2300) SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9-0.1 Features +0.1 0.4 -0.1 VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0A 3 VDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0A VDS=20V ,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R

 4.5. si2300.pdf Size:2425K _shenzhen-tuofeng-semi

SI2300A
SI2300A

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SMD Type IC SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SI2300 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 V DS=20V,RDS(ON)=30m @VGS=10V,ID=6.0A V DS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=3.0A V DS=20V,,RDS(ON)=55m @V GS=2.5V,ID=2.0A 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 1. Gate 2.Emi

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top

 


SI2300A
  SI2300A
  SI2300A
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: UPA2700GR | UPA2680T1E | UPA2672T1R | UPA2670T1R | UPA2650T1E | UPA2593T1H | UPA2592T1H | UPA2591T1H | UPA2590T1H | UPA2562T1H | UPA2561T1H | UPA2560T1H | UPA2560 | UPA2550T1H | UPA2550 |
 

 

 

 

 

Back to Top