Справочник MOSFET. RDX060N60FU6

 

RDX060N60FU6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDX060N60FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX060N60FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  rohm
 rdx060n60fu6.pdf pdf_icon

RDX060N60FU6

RDX060N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX060N60 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching Pa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP4N3R6P | HUFA75645S3S | FQD12N20LTMF085 | 4N60Z | IRF3707SPBF | SVF9N90F | FHP740C

 

 
Back to Top

 


 
.