RDX060N60FU6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RDX060N60FU6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
Аналог (замена) для RDX060N60FU6
RDX060N60FU6 Datasheet (PDF)
rdx060n60fu6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RDX060N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX060N60 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching Pa
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![RDX060N60FU6](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RDX060N60FU6](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RDX060N60FU6](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C