Справочник MOSFET. RFD7N10LE

 

RFD7N10LE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFD7N10LE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251AA

 Аналог (замена) для RFD7N10LE

 

 

RFD7N10LE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:136K  harris semi
 rfd7n10le-sm rfp7n10le.pdf

RFD7N10LE RFD7N10LE

RFD7N10LE, RFD7N10LESMS E M I C O N D U C T O RRFP7N10LE7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic LevelN-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)February 1994Features PackagingJEDEC TO-220AB 7A, 100VTOP VIEW rDS(ON) = 0.300SOURCE 2KV ESD ProtectedDRAINDRAIN(FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

 0.2. Size:101K  intersil
 rfd7n10le-sm.pdf

RFD7N10LE RFD7N10LE

RFD7N10LE, RFD7N10LESMData Sheet October 1999 File Number 3598.37A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel, Power MOSFETs 7A, 100VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.300a modern process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI integrated circuits gives optimumutil

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top