Справочник MOSFET. RF1S70N06

 

RF1S70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF1S70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-262AA
 

 Аналог (замена) для RF1S70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF1S70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  fairchild semi
 rfg70n06 rfp70n06 rf1s70n06 rf1s70n06sm.pdf pdf_icon

RF1S70N06

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 ..2. Size:227K  fairchild semi
 rf1s70n06.pdf pdf_icon

RF1S70N06

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06,RF1S70N06SMData Sheet February 200570A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 60VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(on) = 0.014the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensated PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silic

 6.1. Size:142K  intersil
 rfp70n03 rf1s70n03sm.pdf pdf_icon

RF1S70N06

RFP70N03, RF1S70N03SMData Sheet July 1999 File Number 3404.470A, 30V, 0.010 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 70A, 30VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.010the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits givesoptimum utilization of sili

Другие MOSFET... RE1L002SN , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , IRF4905 , RF1S9540 , RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN .

 

 
Back to Top

 


 
.