Справочник MOSFET. RF4C100BC

 

RF4C100BC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF4C100BC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8
 

 Аналог (замена) для RF4C100BC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4C100BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2983K  rohm
 rf4c100bc.pdf pdf_icon

RF4C100BC

RF4C100BCDatasheetPch -20V -10A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-20VRDS(on)(Max.) 15.6mID 10APD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halog

Другие MOSFET... RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , RF4C050AP , SPP20N60C3 , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ .

History: FDMS8320L | FQPF12P20XDTU | BRI1N60 | 2N70 | SRM10N65TF | KTK597E | SIS402DN

 

 
Back to Top

 


 
.