RF4C100BC - описание и поиск аналогов

 

RF4C100BC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RF4C100BC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm

Тип корпуса: HUML2020L8

Аналог (замена) для RF4C100BC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4C100BC даташит

 ..1. Size:2983K  rohm
 rf4c100bc.pdf pdf_icon

RF4C100BC

RF4C100BC Datasheet Pch -20V -10A Middle Power MOSFET lOutline l HUML2020L8 VDSS -20V RDS(on)(Max.) 15.6m ID 10A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halog

Другие MOSFET... RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , RF4C050AP , K3569 , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.