RF4E080GN - описание и поиск аналогов

 

RF4E080GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RF4E080GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0176 Ohm

Тип корпуса: HUML2020L8

Аналог (замена) для RF4E080GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4E080GN даташит

 ..1. Size:440K  rohm
 rf4e080gn.pdf pdf_icon

RF4E080GN

RF4E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 17.6mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 22.8mW (3) (7) ID 8A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

 7.1. Size:440K  rohm
 rf4e080bn.pdf pdf_icon

RF4E080GN

RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 17.6mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW (3) (7) ID 8A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (

 9.1. Size:440K  rohm
 rf4e070gn.pdf pdf_icon

RF4E080GN

RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 21.4mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW (3) (7) ID 7A (3) (2) PD (1) 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 9.2. Size:2907K  rohm
 rf4e075at.pdf pdf_icon

RF4E080GN

RF4E075AT Datasheet Pch -30V -7.5A Middle Power MOSFET lOutline l HUML2020L8 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 21.7m ID 7.5A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Hal

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RF1S70N06 , RF1S9540 , RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , K4145 , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN .

History: SGM2305A | HM1404D | 2SK3109-ZJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.