Справочник MOSFET. RF4E080GN

 

RF4E080GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RF4E080GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0176 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8

 Аналог (замена) для RF4E080GN

 

 

RF4E080GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  rohm
 rf4e080gn.pdf

RF4E080GN RF4E080GN

RF4E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 22.8mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

 7.1. Size:440K  rohm
 rf4e080bn.pdf

RF4E080GN RF4E080GN

RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)17.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW(3) (7) ID8A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (

 9.1. Size:440K  rohm
 rf4e070gn.pdf

RF4E080GN RF4E080GN

RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V(5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)21.4mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 9.2. Size:2907K  rohm
 rf4e075at.pdf

RF4E080GN RF4E080GN

RF4E075ATDatasheetPch -30V -7.5A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 21.7mID 7.5APD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Hal

 9.3. Size:427K  rohm
 rf4e070bn.pdf

RF4E080GN RF4E080GN

RF4E070BN Nch 30V 7A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)28.6mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 40.0mW(3) (7) ID7A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top