Справочник MOSFET. RF4E110GN

 

RF4E110GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RF4E110GN
   Маркировка: HG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8

 Аналог (замена) для RF4E110GN

 

 

RF4E110GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  rohm
 rf4e110gn.pdf

RF4E110GN RF4E110GN

RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS (5) 30VHUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.3mW(4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.)15.3mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate

 7.1. Size:428K  rohm
 rf4e110bn.pdf

RF4E110GN RF4E110GN

RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.1mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top