RF4E110GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RF4E110GN
Маркировка: HG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
Тип корпуса: HUML2020L8
RF4E110GN Datasheet (PDF)
rf4e110gn.pdf
RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS (5) 30VHUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.3mW(4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.)15.3mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate
rf4e110bn.pdf
RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.1mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
