RF4E110GN - описание и поиск аналогов

 

RF4E110GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RF4E110GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm

Тип корпуса: HUML2020L8

Аналог (замена) для RF4E110GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4E110GN даташит

 ..1. Size:441K  rohm
 rf4e110gn.pdf pdf_icon

RF4E110GN

RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS (5) 30V HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 11.3mW (4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.3mW (3) (7) ID 11A (3) (2) PD (1) 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate

 7.1. Size:428K  rohm
 rf4e110bn.pdf pdf_icon

RF4E110GN

RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 11.1mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW (3) (7) ID 11A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

Другие MOSFET... RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , AON7410 , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.