Справочник MOSFET. SIS376DN

 

SIS376DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS376DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS376DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS376DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  vishay
 sis376dn.pdf pdf_icon

SIS376DN

SiS376DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0058 at VGS = 10 V 35 100 % Rg and UIS Tested20 7.7 nC0.0084 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONSPowerPAK 1212-8

Другие MOSFET... RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , AO4407 , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.