SIS376DN - описание и поиск аналогов

 

SIS376DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIS376DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

Аналог (замена) для SIS376DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS376DN даташит

 ..1. Size:563K  vishay
 sis376dn.pdf pdf_icon

SIS376DN

SiS376DN Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0058 at VGS = 10 V 35 100 % Rg and UIS Tested 20 7.7 nC 0.0084 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK 1212-8

Другие MOSFET... RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , IRF530 , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN .

History: 2SK3111 | MMN400A006U1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.