Справочник MOSFET. SIS376DN

 

SIS376DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS376DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS376DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  vishay
 sis376dn.pdf pdf_icon

SIS376DN

SiS376DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0058 at VGS = 10 V 35 100 % Rg and UIS Tested20 7.7 nC0.0084 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONSPowerPAK 1212-8

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTLUS3A18PZTAG | NVMFS5C426NL | 4N65B | IXTZ42N20MA | SI2343CDS | SFB60N100 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.