SIS430DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS430DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS430DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS430DN даташит

 ..1. Size:548K  vishay
 sis430dn.pdf pdf_icon

SIS430DN

SiS430DN Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0051 at VGS = 10 V 35 100 % Rg Tested 25 13 nC 100 % UIS Tested 0.0069 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 DC/DC Converter - POL S - Server 3.30 mm 3.30 mm D 1 S 2 S 3 G

 9.1. Size:152K  vishay
 sis439dnt.pdf pdf_icon

SIS430DN

SiS439DNT www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)f Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAK Package 0.0110 at VGS = - 10 V - 50e with Small Size and Low 0.75 mm Profile - 30 23 nC 0.0195 at VGS= - 4.5 V - 43.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization

 9.2. Size:175K  vishay
 sis435dnt.pdf pdf_icon

SIS430DN

SiS435DNT Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thin 0.8 mm max. height 100 % Rg and UIS Tested 0.0054 at VGS = - 4.5V - 30a Material categorization 0.0060 at VGS = - 3.7 V - 30a - 20 57 nC For definitions of compliance please see 0.0083

 9.3. Size:566K  vishay
 sis436dn.pdf pdf_icon

SIS430DN

New Product SiS436DN Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0105 at VGS = 10 V TrenchFET Gen III Power MOSFET 16 25 6.7 nC 100 % Rg Tested 0.013 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS DC/DC Conver

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIS410DN, SIS412DN, SIS413DN, SIS414DN, SIS424DN, SIS426DN, SIS427EDN, SIS429DNT, 10N65, SIS434DN, SIS435DNT, SIS436DN, SIS438DN, SIS439DNT, SIS443DN, SIS444DN, SIS447DN