Справочник MOSFET. SIS778DN

 

SIS778DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS778DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS778DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  vishay
 sis778dn.pdf pdf_icon

SIS778DN

SiS778DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)e Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0050 at VGS = 10 V 3530 13.3 nCMOSFET and Schottky Diode0.0062 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg and UIS Tested Low Thermal Resistan

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SWF540 | AFC4539WS | NX3008PBK | DMP3035SFG | UPA1980 | IRFP90N20D | SMK0160

 

 
Back to Top

 


 
.