Справочник MOSFET. SIS778DN

 

SIS778DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS778DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS778DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS778DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  vishay
 sis778dn.pdf pdf_icon

SIS778DN

SiS778DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)e Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0050 at VGS = 10 V 3530 13.3 nCMOSFET and Schottky Diode0.0062 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg and UIS Tested Low Thermal Resistan

Другие MOSFET... SIS468DN , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , RU7088R , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN .

History: STB80NE03L-06T4 | IRLZ14L | IRF7504PBF | IRHQ597110

 

 
Back to Top

 


 
.