SIS778DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS778DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS778DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS778DN даташит

 ..1. Size:547K  vishay
 sis778dn.pdf pdf_icon

SIS778DN

SiS778DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)e Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0050 at VGS = 10 V 35 30 13.3 nC MOSFET and Schottky Diode 0.0062 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg and UIS Tested Low Thermal Resistan

Другие IGBT... SIS468DN, SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, IRFZ48N, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN