Справочник MOSFET. SIS778DN

 

SIS778DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIS778DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8

 Аналог (замена) для SIS778DN

 

 

SIS778DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  vishay
 sis778dn.pdf

SIS778DN SIS778DN

SiS778DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)e Qg (Typ.) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0050 at VGS = 10 V 3530 13.3 nCMOSFET and Schottky Diode0.0062 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg and UIS Tested Low Thermal Resistan

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top