SISA12ADN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISA12ADN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SISA12ADN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA12ADN даташит

 ..1. Size:577K  vishay
 sisa12adn.pdf pdf_icon

SISA12ADN

New Product SiSA12ADN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0043 at VGS = 10 V 25 Material categorization 30 13.6 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see 25 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK

 8.1. Size:587K  vishay
 sisa12dn.pdf pdf_icon

SISA12ADN

New Product SiSA12DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition TrenchFET Gen IV Power MOSFET 0.0043 at VGS = 10 V 25 30 13.6 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0060 at VGS = 4.5 V 25 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICAT

 9.1. Size:539K  vishay
 sisa14dn.pdf pdf_icon

SISA12ADN

SiSA14DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.00510 at VGS = 10 V Material categorization 30 20 9.4 nC 0.00850 at VGS = 4.5 V For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS D

 9.2. Size:577K  vishay
 sisa18dn.pdf pdf_icon

SISA12ADN

New Product SiSA18DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Material categorization 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN, IRF9640, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN, SISS23DN, SISS40DN, SIX3439K, SIZ300DT