RFG30P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFG30P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для RFG30P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG30P06 даташит

 ..1. Size:386K  fairchild semi
 rfg30p06 rfp30p06 rf1s30p06sm.pdf pdf_icon

RFG30P06

RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SM Data Sheet January 2002 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 30A, 60V These are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.065 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Model sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

 7.1. Size:365K  fairchild semi
 rfg30p05 rfp30p05 rf1s30p05sm.pdf pdf_icon

RFG30P06

RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SM Data Sheet January 2002 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power Features MOSFETs 30A, 50V These are P-Channel power MOSFETs manufactured rDS(ON) = 0.065 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

Другие IGBT... RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFF60P06, RFF70N06, RFG30P05, 8205A, RFG40N10, RFG40N10LE, RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06, RFG50N06LE, RFG60P03