Справочник MOSFET. RFG30P06

 

RFG30P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFG30P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RFG30P06

 

 

RFG30P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  fairchild semi
 rfg30p06 rfp30p06 rf1s30p06sm.pdf

RFG30P06 RFG30P06

RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SMData Sheet January 200230A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 60VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.065the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

 7.1. Size:365K  fairchild semi
 rfg30p05 rfp30p05 rf1s30p05sm.pdf

RFG30P06 RFG30P06

RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SMData Sheet January 200230A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 50VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured rDS(ON) = 0.065using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top