Справочник MOSFET. RFG30P06

 

RFG30P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG30P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RFG30P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG30P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  fairchild semi
 rfg30p06 rfp30p06 rf1s30p06sm.pdf pdf_icon

RFG30P06

RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SMData Sheet January 200230A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 60VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.065the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

 7.1. Size:365K  fairchild semi
 rfg30p05 rfp30p05 rf1s30p05sm.pdf pdf_icon

RFG30P06

RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SMData Sheet January 200230A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 50VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured rDS(ON) = 0.065using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

Другие MOSFET... RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFF60P06 , RFF70N06 , RFG30P05 , 2SK3878 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 .

History: CMPFJ310 | PMN40ENA | CS6661 | 2SK2030 | 2SK1733 | NVTR4502P

 

 
Back to Top

 


 
.