Справочник MOSFET. DG10N60-TO220F

 

DG10N60-TO220F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DG10N60-TO220F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
   Время нарастания (tr): 120 ns
   Выходная емкость (Cd): 145 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для DG10N60-TO220F

 

 

DG10N60-TO220F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:1284K  jiangsu
dg10n60.pdf

DG10N60-TO220F DG10N60-TO220F

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG10N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG10N60N

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top