DG10N60-TO220F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DG10N60-TO220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 145 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для DG10N60-TO220F
DG10N60-TO220F Datasheet (PDF)
7.1. Size:1284K jiangsu
dg10n60.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dg10n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG10N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG10N60N
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .