Справочник MOSFET. SIZ790DT

 

SIZ790DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ790DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ790DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  vishay
 siz790dt.pdf pdf_icon

SIZ790DT

New ProductSiZ790DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0093 at VGS = 10 V 16a SkyFET Monolithic TrenchFET Channel-1 30 7.7 nCPower MOSFETs and Schottky Diode0.0130 at VGS = 4.5 V 16a 100 % Rg and UIS T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF8852PBF | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | AP2614GY-HF | FMI05N60E | KRF7706 | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.