Справочник MOSFET. SIZ790DT

 

SIZ790DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ790DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
 

 Аналог (замена) для SIZ790DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ790DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  vishay
 siz790dt.pdf pdf_icon

SIZ790DT

New ProductSiZ790DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0093 at VGS = 10 V 16a SkyFET Monolithic TrenchFET Channel-1 30 7.7 nCPower MOSFETs and Schottky Diode0.0130 at VGS = 4.5 V 16a 100 % Rg and UIS T

Другие MOSFET... IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S , IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , 5N65 , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT .

History: SFG10R140DF

 

 
Back to Top

 


 
.