SIZ910DT - аналоги и даташиты транзистора

 

SIZ910DT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIZ910DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5
 

 Аналог (замена) для SIZ910DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ910DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  vishay
 siz910dt.pdf pdf_icon

SIZ910DT

New ProductSiZ910DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0058 at VGS = 10 V 40a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 12.5 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.

 9.1. Size:217K  vishay
 siz918dt.pdf pdf_icon

SIZ910DT

New ProductSiZ918DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0120 at VGS = 10 V 16aFor definitions of compliance please seeChannel-1 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V www.vishay.com/doc?9991216a0.0037 at V

 9.2. Size:209K  vishay
 siz916dt.pdf pdf_icon

SIZ910DT

New ProductSiZ916DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0064 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.0100 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999

 9.3. Size:199K  vishay
 siz914dt.pdf pdf_icon

SIZ910DT

SiZ914DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.00640 at VGS = 10 V 16aChannel-1 30 7.2 nCFor definitions of compliance please see 0.01000 at VGS = 4.5 V 16awww.vishay.com/doc?999120.00137 at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , 2N60 , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , SK830321 , SK840303 , SK840316 , SK840317 .

 

 
Back to Top

 


 
.