SKH06100. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SKH06100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SKH06100
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SKH06100 даташит
skh06100.pdf
60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr
Другие MOSFET... SK840320 , SK860314 , SK860315 , SK860316 , SK860317 , SK860318 , SK860319 , SK860330 , IRF830 , SKI03021 , SKI03036 , SKI03063 , SKI03087 , SKI04024 , SKI04033 , SKI04044 , SKI06048 .
History: WMQ050N03LG4
History: WMQ050N03LG4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880

