SKH06100 - аналоги и даташиты транзистора

 

SKH06100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SKH06100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SKH06100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKH06100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  sanken-ele
 skh06100.pdf pdf_icon

SKH06100

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr

Другие MOSFET... SK840320 , SK860314 , SK860315 , SK860316 , SK860317 , SK860318 , SK860319 , SK860330 , IRF830 , SKI03021 , SKI03036 , SKI03063 , SKI03087 , SKI04024 , SKI04033 , SKI04044 , SKI06048 .

History: TX50N06 | ME9435A | ME80N75T-G | F20S60C3 | F12W50VX2 | ME55N06A-G

 

 
Back to Top

 


 
.