SW50N06 - описание и поиск аналогов

 

SW50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SW50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SW50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SW50N06 даташит

 ..1. Size:345K  samwin
 sw50n06.pdf pdf_icon

SW50N06

SAMWIN SW50N06 General Description Features This power MOSFET is produced in CHMC with advanced VDMOS process, planar stripe. This N-Channel MOSFET technology enable power MOSFET to have better BVDSS (Minimum) 60V characteristics, such as fast switching time, low on RDS(ON) (Maximum) 0.023ohm resistance, low gate charge and especially excellent ID 50 A avalanche character

Другие MOSFET... ME15N10G , MMF80R650P , NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , AON6414A , 2SK3642-ZK , BUZ384 , EMA09N03AN , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N .

History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.