Справочник MOSFET. BUZ384

 

BUZ384 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ384
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO218AA
 

 Аналог (замена) для BUZ384

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ384 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  siemens
 buz384.pdf pdf_icon

BUZ384

BUZ 384SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 500 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 500Continuous drain current ID ATC = 25 C 10.5Pulsed drain

 9.1. Size:96K  njs
 buz385.pdf pdf_icon

BUZ384

 9.2. Size:130K  siemens
 buz380.pdf pdf_icon

BUZ384

BUZ 380SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 30 C 5.5Pulsed drain

 9.3. Size:187K  siemens
 buz383.pdf pdf_icon

BUZ384

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 , SW50N06 , 2SK3642-ZK , IRF9540 , EMA09N03AN , FQB60N03L , FTP540 , MT4953 , NDP06N60Z , NTMFS4C09N , RU7588R3 , SMP40N10 .

History: WNMD2162 | SFQ020N100C3 | SRC7N65TF | APT10078BLLG | GSM4435W | WMO15N15T1

 

 
Back to Top

 


 
.