Справочник MOSFET. RFG60P05E

 

RFG60P05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG60P05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG60P05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  fairchild semi
rfg60p05e.pdfpdf_icon

RFG60P05E

RFG60P05EData Sheet January 200260A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 50VThis is a P-Channel power MOSFET manufactured using the rDS(ON) = 0.030MegaFET process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstand

 7.1. Size:105K  fairchild semi
rfg60p06e.pdfpdf_icon

RFG60P05E

RFG60P06EData Sheet January 200260A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, FeaturesP-Channel Power MOSFET 60A, 60VThe RFG60P06E P-Channel power MOSFET is rDS(ON) = 0.030manufactured using the MegaFET process. This process, Temperature Compensating PSPICE Modelwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in ou

 7.2. Size:103K  harris semi
rfg60p03 rfp60p03 rf1s60p03-sm.pdfpdf_icon

RFG60P05E

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TN0104N8 | AP85T03GH | 2SJ144 | IPD048N06L3G | IRLR3103PBF | NX3008NBKV | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.