Справочник MOSFET. SW1N60A

 

SW1N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SW1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для SW1N60A

 

 

SW1N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  samwin
 sw1n60a.pdf

SW1N60A SW1N60A

SAMWIN SW1N60AN-channel MOSFETBVDSS : 600VFeatures TO-92ID : 0.8A High ruggednessRDS(ON) : 15ohm RDS(ON) (Max 15 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 6nC) Improved dv/dt Capability 12 100% Avalanche Tested231. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This technology enab

 0.1. Size:220K  1
 ssi1n60a ssw1n60a.pdf

SW1N60A SW1N60A

 0.2. Size:503K  samsung
 ssw1n60a.pdf

SW1N60A SW1N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Low RDS(ON) : 9.390 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

 8.1. Size:450K  samwin
 sw1n60e.pdf

SW1N60A SW1N60A

SAMWIN SW1N60E Electrical characteristic ( TC = 25oC unless otherwise specified ) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Off characteristics BVDSS Drain to source breakdown voltage VGS=0V, ID=250uA 600 V BVDSS Breakdown voltage temperature ID=250uA, referenced to 25oC 0.76 V/oC / TJ coefficient VDS=600V, VGS=0V 1 uA IDSS Drain to source leakage current

 8.2. Size:471K  samwin
 sw1n60c.pdf

SW1N60A SW1N60A

SAMWIN SW1N60CN-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252 TO-92BVDSS : 600V High ruggednessID : 1.0A RDS(ON) (Max 9 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 5.6nC)RDS(ON) : 9.0ohm1 21 Improved dv/dt Capability 23 132 100% Avalanche Tested321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced V

 8.3. Size:635K  samwin
 sw1n60d.pdf

SW1N60A SW1N60A

SAMWIN SW1N60D N-channel I-PAK/TO-92 MOSFET TO-92 TO-251 Features BVDSS : 600V ID : 1A High ruggedness RDS(ON) (Max8.5)@VGS=10V RDS(ON) :8.5 Gate Charge (Typical 6.8 nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTGD1100L

 

 
Back to Top